簡(jiǎn)單了解單晶硅片基本的加工過程

單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。廣東萬硅可以提供晶圓尺寸：1“ 2” 3“ 4” 5“ 6” 8“ 12”英寸，正片（prime），超薄片，異形片。

我們簡(jiǎn)單了解單晶硅片基本的加工過程：

主要分為：切斷→外徑滾圓→切片→倒角→研磨→腐蝕、清洗→刻蝕→拋光等。

硅片制備

切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長(zhǎng)度，切取試片測(cè)量單晶硅棒的電阻率、含氧量。量。

外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑

硅片定位標(biāo)識(shí)：

激光打標(biāo)

切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。

切片

倒角：指將切割成的晶片銳利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生。

研磨：指通過研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過程可以處理的規(guī)格。

磨片和倒角

腐蝕、清洗：切片后，硅片表面有機(jī)械損傷層，近表面晶體的晶格不完整，而且硅片表面有金屬粒子等雜質(zhì)污染。因此，一般切片后，需要對(duì)硅片進(jìn)行化學(xué)腐蝕。 在單晶硅片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是腐蝕后的最終清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。
刻蝕

拋光